NCD57256DR2G

Der NCD57256DR2G kann für eine verbesserte Anpassungsfähigkeit als Dual-Low-Side-, Dual-High-Side- oder Halbbrücken-Treiber konfiguriert werden. Programmierbare Steuerungsoptionen, einschließlich Überlappungs- und Totzeitsteuerung, ermöglichen einen präzisen Schaltvorgang. Das Gerät verfügt außerdem über einen Deaktivierungspin für die Stromversorgungssequenzierung und eine ANB-Funktion zur Vereinfachung der Halbbrückenkonfiguration. Der Schwerpunkt liegt auf der Sicherheit durch IGBT/MOSFET-Gate-Klemmung und strenge UVLO-Schwellenwerte bei Kurzschlüssen. Die hervorragende galvanische Trennung von 2,5 oder 5 kVrms gewährleistet eine robuste Leistung bei Hochspannungsanwendungen. Darüber hinaus eignet es sich ideal für Automobilanwendungen, ist AEC-Q100-konform und verfügt über PPAP-Funktionen. Schließlich ist es aufgrund seiner Umweltverträglichkeit als bleifreies, halogenfreies/bromiertes Flammschutzmittel-freies und RoHS-konformes Gerät eine umweltfreundliche Wahl. Zusammenfassend bietet der Gate-Treiber NCD57256DR2G beispiellose Vielseitigkeit, Leistung und Sicherheit für eine Vielzahl von Anwendungen.

• Ladegeräte für Elektrofahrzeuge

• Motorsteuerung

• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

• Industrielle Stromversorgungen

• Solarwechselrichter

• Automobilanwendungen

NCx5725y sind isolierte Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit zwei Kanälen und 2,5 oder 5 kVrms* interner galvanischer Trennung vom Eingang zu jedem Ausgang und funktionaler Trennung zwischen den beiden Ausgangskanälen. Das Gerät akzeptiert Vorspannung und Signalpegel von 3,3 V bis 20 V auf der Eingangsseite und bis zu 32 V Vorspannung auf der Ausgangsseite. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet separate Pins für die Deaktivierungs- und Totzeitsteuerung zur Vereinfachung des Systemdesigns. Die Treiber sind im SOIC-16-Gehäuse mit breitem Gehäuse und im SOIC-16-Gehäuse mit schmalem Gehäuse erhältlich.

Beliebte label: ncd57256dr2g, China ncd57256dr2g Hersteller, Lieferanten