NCV57090BDWR2G

Der NCV57090BDWR2G ist ein fortschrittlicher Isolations-Gate-Treiber, der für seinen hohen Spitzenausgangsstrom, geringen Klemmspannungsabfall und verschiedene Schutzfunktionen bekannt ist. Mit einem Spitzenausgangsstrom von ±6,5 A bietet er eine präzise Steuerung von IGBTs und MOSFETs. Der geringe Spannungsabfall an der Klemme macht eine negative Stromversorgung überflüssig und vereinfacht so das Systemdesign. Kurze Ausbreitungsverzögerungen und aktive Gate-Klemmung bei Kurzschlüssen verbessern die Systemleistung und -zuverlässigkeit. Die aktive Gate-Pulldown-Funktion sorgt für ein schnelles Abschalten des Geräts und erhöht so die Systemsicherheit. Enge UVLO-Schwellenwerte und ein großer Vorspannungsbereich bieten Flexibilität bei der Auswahl der Vorspannung. Das Gerät unterstützt Logikeingänge bei 3,3 V, 5 V und 15 V und bietet eine galvanische Trennung von 5 kVrms, eine hohe Transientenimmunität und elektromagnetische Immunität. Es ist außerdem AEC-Q100-qualifiziert, PPAP-fähig, bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform, wodurch es für Automobil- und umweltbewusste Anwendungen geeignet ist.

·Motorsteuerung

·Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

·Automotive-Anwendungen

·Industrielle Stromversorgungen

·Solarwechselrichter

NCx57090y, NCx57091y sind einkanalige Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit 5 kVrms interner galvanischer Trennung, die für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen ausgelegt sind. Die Geräte akzeptieren komplementäre Eingänge und bieten je nach Pin-Konfiguration Optionen wie Active Miller Clamp (Version A/D/F), negative Stromversorgung (Version B) und separate High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL) (Version C). /E) zur Vereinfachung des Systemdesigns. Die Treiber sind für einen breiten Bereich an Eingangsvorspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V geeignet und im Wide-Body-SOIC-8-Gehäuse erhältlich.

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