SI8232BB-B-IS1R

Der SI8232BB-B-IS1R ist ein bahnbrechender doppelt isolierter Gate-Treiber mit außergewöhnlichen Funktionen. Mit bis zu 5 VRMS Eingang-zu-Ausgang-Isolierung, 1500 VDC Spitzendifferenzspannung zwischen Treiber und Treiber sowie vielseitigen HS/LS- und Dual-Treiber-Versionen bietet es unübertroffene Flexibilität. Er arbeitet mit bis zu 8 MHz und eignet sich für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, unterstützt durch einen Spitzenausgang von 0,5 A (Si8230/1/2/7) oder 0,4 A (Si8233/4/5/6/8). Mit robuster elektromagnetischer Immunität, einer schnellen Ausbreitungsverzögerung von 60 ns und einer Transientenimmunität von über 45 kV/ps gewährleistet es Präzision und Zuverlässigkeit. Die AEC-Q100-Qualifizierung bescheinigt seine Zuverlässigkeit auf Automobilniveau und sein großer Betriebsbereich von -40 bis +125 macht ihn an verschiedene Umgebungen anpassbar.

·Stromversorgungssysteme n

·Motorsteuerungssysteme n

·Isolierte DC-DC-Netzteile n

·Lichtsteuerungssysteme n

·Plasmadisplays n

·Solar- und Industriewechselrichter

Die isolierte Treiberfamilie Si823x vereint zwei unabhängige, isolierte Treiber in einem einzigen Paket. Die Si8230/1/3/4 sind High-Side-/Low-Side-Treiber und die Si8232/5/6/7/8 sind Dual-Treiber. Es stehen Versionen mit Spitzenausgangsströmen von 0,5 A (Si8230/1/2/7) und 4,0 A (Si8233/4/5/6/8) zur Verfügung. Alle Treiber arbeiten mit einer maximalen Versorgungsspannung von 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >Die Hysterese von 400 mV ist in den Konfigurationen mit individuellem Steuereingang (Si8230/2/3/5/6/7/8) oder PWM-Eingang (Si8231/4) verfügbar. Hohe Integration, geringe Ausbreitungsverzögerung, kleine Installationsgröße, Flexibilität und Kosteneffizienz machen die Si823x-Familie ideal für eine Vielzahl isolierter MOSFET/IGBT-Gate-Antriebsanwendungen.

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