TLP5701(TP,E

TLP5701(TP,E

Der TLP5701 zeichnet sich als Hochleistungs-Gate-Treiber für Optokoppler aus und bietet einen Totem-Pole-Ausgang, einen hohen Ausgangsspitzenstrom, einen großen Betriebstemperaturbereich, einen niedrigen Versorgungsstrom, eine flexible Versorgungsspannung, einen Eingangsstrom mit niedrigem Schwellenwert, eine schnelle Ausbreitungsverzögerungszeit und einen hervorragenden gemeinsamen Wert -Mode-Transientenimmunität und hohe Isolationsspannung.
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Beschreibung

Technische Parameter

Der TLP5701 ist ein vielseitiger und leistungsstarker Gate-Treiber, der auf Optokoppler in elektronischen Anwendungen zugeschnitten ist. Mit einer Totem-Pole-Ausgangskonfiguration erleichtert es sowohl die Stromgewinnung als auch die Stromabnahme und gewährleistet so eine robuste Antriebsfähigkeit. Zu den bemerkenswerten Merkmalen gehören ein Spitzenausgangsstrom von ±0,6 A, ein großer Betriebstemperaturbereich (-40 bis 110 Grad), ein niedriger Versorgungsstrom (max. 2,0 mA) und ein flexibler Versorgungsspannungsbereich ( 10 bis 30 V). Das Gerät weist einen Eingangsstrom mit niedrigem Schwellenwert von maximal 5 mA auf und erreicht eine schnelle Ausbreitungsverzögerungszeit von maximal 500 ns für beide Übergänge. Beeindruckende Eigenschaften wie Gleichtakt-Transientenimmunität von ±20 kV/μs und eine minimale Isolationsspannung von 5000 Vrms erhöhen die Zuverlässigkeit in vielfältigen und anspruchsvollen Umgebungen und machen den TLP5701 zur bevorzugten Wahl für präzisionsgesteuerte elektronische Systeme.

product-1208-881

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TLP5701(E

TLP5701(TP,E)

Beschreibung

OPTOISO IGBT MOSFET-TREIBER

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OPTOISO IGBT MOSFET-TREIBER

OPTOISO IGBT MOSFET-TREIBER

OPTOISO IGBT MOSFET-TREIBER

OPTOISO IGBT MOSFET-TREIBER

Aktie

50000

50000

50000

50000

50000

50000

Produktstatus

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Technologie

Optische Kopplung

Optische Kopplung

Optische Kopplung

Optische Kopplung

Optische Kopplung

Optische Kopplung

Anzahl der Kanäle

1

1

1

1

1

1

Spannung – Isolation

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.)

20 kV/μs

20 kV/μs

20 kV/μs

20 kV/μs

20 kV/μs

20 kV/μs

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)

500ns, 500ns

500ns, 500ns

500ns, 500ns

500ns, 500ns

500ns, 500ns

500ns, 500ns

Impulsbreitenverzerrung (max.)

350ns

350ns

350ns

350ns

350ns

350ns

Strom – Ausgang hoch, niedrig

600 mA

600 mA

600 mA

600 mA

600 mA

600 mA

Strom – Spitzenleistung

600 mA

600 mA

600 mA

600 mA

600 mA

600 mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.57V

1.57V

1.57V

1.57V

1.57V

1.57V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

25mA

25mA

25mA

25mA

25mA

25mA

Spannung – Ausgangsversorgung

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

Betriebstemperatur

-40 Grad ~ 110 Grad

-40 Grad ~ 110 Grad

-40 Grad ~ 110 Grad

-40 Grad ~ 110 Grad

-40 Grad ~ 110 Grad

-40 Grad ~ 110 Grad

Paket/Koffer

SDIP6 (7,5 x 1,27)

SDIP6 (7,5 x 1,27)

SDIP6 (7,5 x 1,27)

SDIP6 (7,5 x 1,27)

SDIP6 (7,5 x 1,27)

SDIP6 (7,5 x 1,27)

Paket

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

 

Anwendungen:

 

• Industrielle Wechselrichter

• IGBT-Gate-Treiber

• MOSFET-Gate-Treiber

• Induktionskochfeld und Haushaltsgeräte

 

Allgemein:

 

Der TLP5701 ist ein Fotokoppler in einem 6--poligen SO6L-Gehäuse, das aus einer Infrarot-LED besteht, die optisch an einen integrierten Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor-IC-Chip mit hoher Verstärkung gekoppelt ist. Es bietet garantierte Leistung und Spezifikationen bei Temperaturen von bis zu 110 Grad.

 

Der TLP5701 ist physisch kleiner/dünner als der in einem 8-Pin-DIP-Gehäuse und entspricht den internationalen Sicherheitsstandards für verstärkte Isolierung. Es bietet somit eine Lösung mit kleinerem Platzbedarf für Anwendungen, die eine Zertifizierung nach Sicherheitsnormen erfordern. Eine interne Rauschabschirmung sorgt für eine garantierte Gleichtakt-Transientenimmunität von ±20 kV/µs.

 

Der TLP5701 ist ideal für kleine IGBT- und Leistungs-MOSFET-Gate-Antriebe.

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