EL3120-KARTON
Beschreibung
Technische Parameter
Der Optokoppler-Gate-Treiber EL3120 ist eine vielseitige und zuverlässige Lösung für anspruchsvolle Anwendungen. Mit garantierter Leistung über einen weiten Temperaturbereich (-40 bis 100 Grad), einem Spitzenausgangsstrom von ±2,5 A und einem Schwelleneingangsstrom von 5 mA bietet es robuste Antriebsfunktionen und präzise Steuerung. Die außergewöhnliche Gleichtakt-Transientenimmunität des Geräts von ±15 kV/μs gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in elektrisch verrauschten Umgebungen, während die hohe Isolationsspannung (Viso=5000 Vrms) strenge Sicherheitsanforderungen erfüllt. Darüber hinaus erfüllt der EL3120 Umweltstandards, einschließlich RoHS, und verfügt über verschiedene Zulassungen, wie z. B. cUL, VDE, SEMKO, NEMKO, DEMKO und FIMKO, was seine Zuverlässigkeit und Eignung für verschiedene Branchen und Anwendungen weiter bescheinigt.
Verwandte Produkte:
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Hersteller-Teil |
EL3120-KARTON |
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Beschreibung |
OPTOISO IGBT MOSFET-TREIBER |
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Aktie |
50000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
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Technologie |
Optische Kopplung |
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Anzahl der Kanäle |
1 |
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Spannung – Isolation |
5000 Vrms |
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Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) |
15 kV/μs |
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Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) |
300 ns, 300 ns |
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Impulsbreitenverzerrung (max.) |
100ns |
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Strom – Ausgang hoch, niedrig |
2A, 2A |
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Strom – Spitzenleistung |
2A |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.4V |
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Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.) |
25mA |
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Spannung – Ausgangsversorgung |
15V ~ 30V |
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Betriebstemperatur |
-40 Grad ~ 105 Grad |
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Paket/Koffer |
DIP8 (7,62 mm) |
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Paket |
Rohr |
Anwendungen:
• Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb
• Industrieller Wechselrichter
• Bürstenlose AC- und DC-Motorantriebe
• Wechselrichter für Haushaltsgeräte
Beschreibung:
Der EL3120 besteht aus Infrarot-Leuchtdioden und integrierten Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren mit hoher Verstärkung. Das Gerät ist in einem 8-poligen DIP-Gehäuse untergebracht. Der Fotodetektor verfügt über eine interne Abschirmung, die eine garantierte Gleichtakt-Transientenimmunität von ±15 kV/µs bietet. Es eignet sich für direkte Gate-Ansteuerschaltungen für IGBTs oder Leistungs-MOSFETs.
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