FOD3125
Beschreibung
Technische Parameter
The FOD3125 Optocoupler Gate Driver is a robust solution designed for demanding industrial applications, offering extended industrial temperature range (-40°C to 125°C), high noise immunity (35 kV/s minimum Common Mode Rejection), and a peak output current capability of 2.5 A for driving 1200 V/20 A IGBTs. Its use of P-channel MOSFETs allows for an output voltage swing close to the supply rail, enhancing efficiency. With a wide supply voltage range (15 V to 30 V), fast switching speed, and safety features such as Under Voltage LockOut and regulatory approvals (UL1577, pending DIN EN/IEC60747-5-5), it ensures reliable and precise control. Additionally, the device provides >8,0 mm Luft- und Kriechstrecke, eine Spitzenbetriebsisolationsspannung von 1.414 V und als bleifreies Gerät umweltfreundlich. Insgesamt ist der FOD3125 eine vielseitige und vertrauenswürdige Wahl für kritische Industrieanwendungen.
Verwandte Produkte:
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Hersteller-Teil |
FOD3125 |
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Beschreibung |
OPTOISO IGBT MOSFET-TREIBER |
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Aktie |
50000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
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Technologie |
Optische Kopplung |
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Anzahl der Kanäle |
1 |
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Spannung – Isolation |
5000 Vrms |
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Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) |
35 kV/μs |
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Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) |
400 ns, 400 ns |
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Impulsbreitenverzerrung (max.) |
100ns |
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Strom – Ausgang hoch, niedrig |
2A,2A |
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Strom – Spitzenleistung |
2A |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.4V |
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Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.) |
25mA |
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Spannung – Ausgangsversorgung |
15V ~ 30V |
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Betriebstemperatur |
-40-C ~ 100-C |
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Paket/Koffer |
DIP8 (7,62 mm) |
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Paket |
Rohr |
Anwendungen:
• Industrieller Wechselrichter
• Unterbrechungsfreie Stromversorgung
• Induktionsheizung
• Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb
Beschreibung:
Der FOD3125 ist ein 2,5-A-Ausgangsstrom-Gate-Drive-Optokoppler, der die meisten mittelgroßen IGBTs oder MOSFETs über einen erweiterten industriellen Temperaturbereich von –40 bis 125 Grad ansteuern kann. Es eignet sich ideal für die schnelle Schaltansteuerung von Leistungs-IGBTs und MOSFETs, die in Motorsteuerungs-Wechselrichteranwendungen und Hochleistungsstromsystemen verwendet werden. Es nutzt die patentierte koplanare Gehäusetechnologie Optoplanar® von ON Semiconductor und ein optimiertes IC-Design, um eine hohe Störfestigkeit zu erreichen, die sich durch eine hohe Gleichtaktunterdrückung auszeichnet. Es besteht aus einer lichtemittierenden Gallium-Aluminium-Arsenid-Diode (AlGaAs), die optisch an einen integrierten Schaltkreis mit einem Hochgeschwindigkeitstreiber für die Push-Pull-MOSFET-Ausgangsstufe gekoppelt ist.
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