
4N25S(TA)
Beschreibung
Technische Parameter
Verwandte Produkte:
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Herstellerteil |
4N25S(TA) |
4N25S(TA)-V |
4N25S(TB) |
4N25S(TB)-V |
4N25S1 |
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Beschreibung |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
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Aktie |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
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Spannung - Isolierung |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
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Stromübertragungsverhältnis (Min) |
20 % bei 10 mA |
20 % bei 10 mA |
20 % bei 10 mA |
20 % bei 10 mA |
20 % bei 10 mA |
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Stromübertragungsverhältnis (max.) |
- |
- |
- |
- |
- |
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Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ) |
3us, 3us |
3US, 3US |
3US, 3US |
3US, 3US |
3US, 3US |
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Eingabetyp |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
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Ausgabetyp |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
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Spannung - Ausgang (max.) |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
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Strom - Ausgang / Kanal |
- |
- |
- |
- |
- |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
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Strom - DC vorwärts (If) (Max) |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
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Betriebstemperatur |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
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Verpackung/Koffer |
SMD6 (7,62 mm) |
SMD6 (7,62 mm) |
SMD6 (7,62 mm) |
SMD6 (7,62 mm) |
SMD6 (7,62 mm) |
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Paket |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Anwendungen:
• Stromversorgungsregler
• Digitale Logikeingänge
• Mikroprozessor-Eingänge
Beschreibung:
Die Geräteserien 4N2X, 4N3X und H11AX bestehen jeweils aus einer Infrarot-Emissionsdiode, die optisch mit einem Fototransistor gekoppelt ist.
Sie sind in einem 6--Pin-DIP-Gehäuse verpackt und mit großem Anschlussabstand sowie in der SMD-Option verfügbar.
Beliebte label: 4n25s (ta), China 4n25s (ta) Hersteller, Lieferanten
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