6N135(S)(T1)

OPTOISO 5KV TRANS MIT BASIS 8DIP

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Beschreibung

Technische Parameter

Verwandte Produkte:

Herstellerteil	6N135(S)	6N135(S)(T1)	6N135(SL)(T1)	6N135(V)(S)(T1)	6N135(V)(SL)(T1)
Beschreibung	OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS	OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS	OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS	OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS	OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS
Aktie	80000	80000	80000	80000	80000
Produktstatus	Aktiv	Aktiv	Aktiv	Aktiv	Aktiv
Spannung - Isolierung	5000 Veff	5000 Veff	5000 Veff	5000 Veff	5000 Veff
Stromübertragungsverhältnis (Min)	7 % bei 16 mA	7 % bei 16 mA	7 % bei 16 mA	7 % bei 16 mA	7 % bei 16 mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)	50 % bei 16 mA	50 % bei 16 mA	50 % bei 16 mA	50 % bei 16 mA	50 % bei 16 mA
Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ)	350 ns, 500 ns	350 ns, 500 ns	350 ns, 500 ns	350 ns, 500 ns	350 ns, 500 ns
Eingabetyp	Gleichstrom	Gleichstrom	Gleichstrom	Gleichstrom	Gleichstrom
Ausgabetyp	1-MB-Transistor	1-MB-Transistor	1-MB-Transistor	1-MB-Transistor	1-MB-Transistor
Spannung - Ausgang (max.)	20V	20V	20V	20V	20V
Strom - Ausgang / Kanal	8 mA	8 mA	8 mA	8 mA	8 mA
Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)	1.45V	1.45V	1.45V	1.45V	1.45V
Strom - DC vorwärts (If) (Max)	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA
Betriebstemperatur	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C
Verpackung/Koffer	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)
Paket	Band und Rolle (TR)	Band und Rolle (TR)	Band und Rolle (TR)	Band und Rolle (TR)	Band und Rolle (TR)

Anwendungen:

• Leitungsempfänger

•Telekommunikationsausrüstung

•Hochgeschwindigkeits-Logik-Masseisolierung

•Rückkopplungsschleife in Schaltnetzteilen

• Haushaltsgeräte

Allgemeine Beschreibung:

Die Bausteine 6N135, 6N136, CT4502 und CT4503 bestehen jeweils aus einer Infrarot-Emissionsdiode, die optisch mit einem Hochgeschwindigkeits-Fotodetektortransistor gekoppelt ist. Ein separater Anschluss für die Fotodiodenvorspannung und den Ausgangstransistorkollektor erhöht die Geschwindigkeit um mehrere Größenordnungen gegenüber herkömmlichen Fototransistorkopplern, indem die Basis-Kollektor-Kapazität des Eingangstransistors reduziert wird.

Die Geräte sind in einem 8--Pin-DIP-Gehäuse verpackt und auch in den Ausführungen Gullwing (400mil) und Surface Mount Lead Forming erhältlich.

Beliebte label: 6n135(s)(t1), China 6n135(s)(t1) Hersteller, Lieferanten

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