
6N135S-TA1
Beschreibung
Technische Parameter
Verwandte Produkte:
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Hersteller-Teil |
6N135S |
6N135S-TA |
6N135S-TA1 |
6N135STA1-V |
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Beschreibung |
OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS |
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Aktie |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
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Spannung – Isolation |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
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Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) |
7 % bei 16 mA |
7 % bei 16 mA |
7 % bei 16 mA |
7 % bei 16 mA |
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Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) |
50 % bei 16 mA |
50 % bei 16 mA |
50 % bei 16 mA |
50 % bei 16 mA |
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Ein-/Ausschaltzeit (Typ) |
150 ns, 700 ns |
150 ns, 700 ns |
150 ns, 700 ns |
150 ns, 700 ns |
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Eingabetyp |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
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Ausgabetyp |
1 MB Transistor |
1 MB Transistor |
1 MB Transistor |
1 MB Transistor |
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Spannung – Ausgang (max.) |
20V |
20V |
20V |
20V |
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Strom – Ausgang/Kanal |
8mA |
8mA |
8mA |
8mA |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
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Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.) |
25mA |
25mA |
25mA |
25mA |
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Betriebstemperatur |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
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Paket/Koffer |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
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Paket |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
Anwendungs:
• Hochspannungsisolierung
• Isolierung in Leitungsempfängern
• Rückkopplungselement im Schaltnetzteil
• Leistungstransistor-Isolierung in Motorantrieben
• Schnittstelle zwischen Mikroprozessorsystem, Computer und deren Peripherie
• Impulstransformatoren austauschen.
• Ersetzen Sie langsamere Optokoppler-Isolatoren.
Allgemeine Beschreibung:
Der 6N135/6 besteht aus einer hocheffizienten AlGaAs-Leuchtdiode und einem optischen Hochgeschwindigkeitsdetektor. Dieses Design bietet eine hervorragende AC- und DC-Isolierung zwischen der Eingangs- und Ausgangsseite des Optokopplers. Der Anschluss für die Vorspannung der Fotodiode verbessert die Geschwindigkeit im Vergleich zu einem herkömmlichen Fototransistor-Koppler, indem er die Basis-Kollektor-Kapazitäten reduziert. Die interne Abschirmung gewährleistet eine hohe Immunität gegen Gleichtakttransienten. Die garantierte Immunität gegen Gleichtakttransienten beträgt bis zu 1 kV/μs.
Beliebte label: 6n135s-ta1, China 6n135s-ta1 Hersteller, Lieferanten
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