6N135S-TA1

6N135S-TA1

OPTOISO 5KV TRANS MIT BASIS 8DIP
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Beschreibung

Technische Parameter

Verwandte Produkte:

 

Hersteller-Teil

6N135S

6N135S-TA

6N135S-TA1

6N135STA1-V

Beschreibung

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

Aktie

80000

80000

80000

80000

Produktstatus

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Spannung – Isolation

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)

7 % bei 16 mA

7 % bei 16 mA

7 % bei 16 mA

7 % bei 16 mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)

50 % bei 16 mA

50 % bei 16 mA

50 % bei 16 mA

50 % bei 16 mA

Ein-/Ausschaltzeit (Typ)

150 ns, 700 ns

150 ns, 700 ns

150 ns, 700 ns

150 ns, 700 ns

Eingabetyp

Gleichstrom

Gleichstrom

Gleichstrom

Gleichstrom

Ausgabetyp

1 MB Transistor

1 MB Transistor

1 MB Transistor

1 MB Transistor

Spannung – Ausgang (max.)

20V

20V

20V

20V

Strom – Ausgang/Kanal

8mA

8mA

8mA

8mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.45V

1.45V

1.45V

1.45V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

25mA

25mA

25mA

25mA

Betriebstemperatur

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

Paket/Koffer

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

Paket

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

 

Anwendungs:

 

• Hochspannungsisolierung

• Isolierung in Leitungsempfängern

• Rückkopplungselement im Schaltnetzteil

• Leistungstransistor-Isolierung in Motorantrieben

• Schnittstelle zwischen Mikroprozessorsystem, Computer und deren Peripherie

• Impulstransformatoren austauschen.

• Ersetzen Sie langsamere Optokoppler-Isolatoren.

 

Allgemeine Beschreibung:


Der 6N135/6 besteht aus einer hocheffizienten AlGaAs-Leuchtdiode und einem optischen Hochgeschwindigkeitsdetektor. Dieses Design bietet eine hervorragende AC- und DC-Isolierung zwischen der Eingangs- und Ausgangsseite des Optokopplers. Der Anschluss für die Vorspannung der Fotodiode verbessert die Geschwindigkeit im Vergleich zu einem herkömmlichen Fototransistor-Koppler, indem er die Basis-Kollektor-Kapazitäten reduziert. Die interne Abschirmung gewährleistet eine hohe Immunität gegen Gleichtakttransienten. Die garantierte Immunität gegen Gleichtakttransienten beträgt bis zu 1 kV/μs.

Beliebte label: 6n135s-ta1, China 6n135s-ta1 Hersteller, Lieferanten

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