H11D2SR2M

H11D2SR2M

Verwandte Produkte: Anwendungen: • Stromversorgungsregler • Digitale Logikeingänge • Mikroprozessoreingänge • Gerätesensorsysteme • Industrielle Steuerungen Allgemeine Beschreibung: 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Fototransistor-Typen.
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Beschreibung

Technische Parameter

Verwandte Produkte:

 

Hersteller-Teil

H11D2SR2M

H11D2SR2VM

H11D2VM

Beschreibung

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

Aktie

80000

80000

80000

Produktstatus

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Spannung – Isolation

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)

20 % bei 10 mA

20 % bei 10 mA

20 % bei 10 mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)

600 % bei 10 mA

600 % bei 10 mA

600 % bei 10 mA

Ein-/Ausschaltzeit (Typ)

5µs,5µs

5µs,5µs

5µs,5µs

Eingabetyp

Gleichstrom

Gleichstrom

Gleichstrom

Ausgabetyp

Transistor HV

Transistor HV

Transistor HV

Spannung – Ausgang (max.)

300V

300V

300V

Strom – Ausgang/Kanal

100mA

100mA

100mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

1.2V

1.2V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

60mA

60mA

60mA

Betriebstemperatur

-55 Grad ~ 100 Grad

-55 Grad ~ 100 Grad

-55 Grad ~ 100 Grad

Paket/Koffer

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

Paket

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

 

Anwendungs:

 

• Netzteilregler

• Digitale Logikeingänge

• Mikroprozessoreingänge

• Gerätesensorsysteme

• Industrielle Steuerungen

 

Allgemeine Beschreibung:

 

Die Modelle 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp. Eine Galliumarsenid-Infrarotdiode ist mit einem Hochspannungs-NPN-Silizium-Fototransistor gekoppelt. Das Gerät wird in einem standardmäßigen sechspoligen Dual-in-Line-Kunststoffgehäuse geliefert.

Beliebte label: h11d2sr2m, China h11d2sr2m Hersteller, Lieferanten

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