HCPL4502SD

HCPL4502SD

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 8-DIP
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Beschreibung

Technische Parameter

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Hersteller-Teil

HCPL4502S

HCPL4502SD

HCPL4502SDV

HCPL4502SV

Beschreibung

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS

Aktie

80000

80000

80000

80000

Produktstatus

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Spannung – Isolation

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)

19 % bei 16 mA

19 % bei 16 mA

19 % bei 16 mA

19 % bei 16 mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)

50 % bei 16 mA

50 % bei 16 mA

50 % bei 16 mA

50 % bei 16 mA

Ein-/Ausschaltzeit (Typ)

350 ns, 300 ns

350 ns, 300 ns

350 ns, 300 ns

350 ns, 300 ns

Eingabetyp

Gleichstrom

Gleichstrom

Gleichstrom

Gleichstrom

Ausgabetyp

1 MB Transistor

1 MB Transistor

1 MB Transistor

1 MB Transistor

Spannung – Ausgang (max.)

20V

20V

20V

20V

Strom – Ausgang/Kanal

8mA

8mA

8mA

8mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.45V

1.45V

1.45V

1.45V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

25mA

25mA

25mA

25mA

Betriebstemperatur

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

Paket/Koffer

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

Paket

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

 

Anwendungs:

 

• Leitungsempfänger

• Austausch des Impulstransformators

• Ausgabeschnittstelle zu CMOS-LSTTL-TTL

• Analoge Kopplung mit großer Bandbreite

 

Allgemeine Beschreibung:

 

Die Optokoppler HCPL-4502/HCPL-2503, 6N135/6 und HCPL-2530/HCPL-2531 bestehen aus einer AlGaAs-LED, die optisch an einen Hochgeschwindigkeits-Fotodetektortransistor gekoppelt ist.

Ein separater Anschluss für die Vorspannung der Fotodiode verbessert die Geschwindigkeit gegenüber herkömmlichen Fototransistor-Optokopplern um mehrere Größenordnungen, indem die Basis-Kollektor-Kapazität des Eingangstransistors verringert wird.

Eine interne Rauschabschirmung sorgt für eine hervorragende Gleichtaktunterdrückung von 10 kV/µs. Ein verbessertes Gehäuse ermöglicht eine bessere Isolierung und ermöglicht eine Arbeitsspannung von 480 V im Vergleich zum Industriestandard von 220 V.

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