
KP10200E
Beschreibung
Technische Parameter
Verwandte Produkte:
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Hersteller-Teil |
KP10200E |
KP10200F |
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Beschreibung |
OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLER, FOTOTRANSISTOR AUS |
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Aktie |
80000 |
80000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
Aktiv |
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Spannung – Isolation |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
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Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) |
50 % bei 5 mA |
50 % bei 5 mA |
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Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) |
600 % bei 5 mA |
160 % bei 5 mA |
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Ein-/Ausschaltzeit (Typ) |
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Eingabetyp |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
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Ausgabetyp |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
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Spannung – Ausgang (max.) |
70V |
70V |
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Strom – Ausgang/Kanal |
50mA |
50mA |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.2V |
1.2V |
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Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.) |
50mA |
50mA |
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Betriebstemperatur |
-30-C ~ 100-C |
-30-C ~ 100-C |
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Paket/Koffer |
DIP8 (7,62 mm) |
DIP8 (7,62 mm) |
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Paket |
Rohr |
Rohr |
Anwendungs:
• Systemgeräte
• Messgeräte
• Computerterminals
• Programmierbare Steuerungen
• Medizinische Instrumente
• Physikalische und chemische Ausrüstung
• Signalübertragung zwischen Stromkreisen unterschiedlicher Potentiale und Impedanzen
Allgemeine Beschreibung:
Die KP1020-Serie besteht aus einer Infrarot-emittierenden Diode, die optisch an einen Fototransistor-Detektor gekoppelt ist. Sie sind in einem DIP-Gehäuse mit 8-Pins verpackt und mit großem Anschlussabstand und SMD-Option erhältlich.
Beliebte label: kp10200e, China kp10200e Hersteller, Lieferanten
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