KP12102ETLD
Beschreibung
Technische Parameter
Verwandte Produkte:
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Herstellerteil |
KP12102E |
KP12102ETLD |
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Beschreibung |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
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Aktie |
80000 |
80000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
Aktiv |
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Spannung - Isolierung |
5000 Veff |
5000 Veff |
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Stromübertragungsverhältnis (Min) |
50 % bei 5 mA |
50 % bei 5 mA |
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Stromübertragungsverhältnis (max.) |
600 % bei 5 mA |
600 % bei 5 mA |
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Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ) |
- |
- |
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Eingabetyp |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
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Ausgabetyp |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
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Spannung - Ausgang (max.) |
350V |
350V |
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Strom - Ausgang / Kanal |
50 mA |
50 mA |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.2V |
1.2V |
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Strom - DC vorwärts (If) (Max) |
60 mA |
60 mA |
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Betriebstemperatur |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
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Verpackung/Koffer |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
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Paket |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Anwendungen:
• Systemgeräte
• Messgeräte
• Computerterminals
• Programmierbare Steuerungen
• Medizinische Instrumente, physikalische und chemische Geräte
• Signalübertragung zwischen Schaltkreisen mit unterschiedlichem Potential und Impedanz
Allgemeine Beschreibung:
Die Geräte der Serie KP1210 bestehen jeweils aus einer Infrarot-Emissionsdiode, die optisch mit einem Fototransistordetektor gekoppelt ist. Sie sind in einem 4--Pin-DIP-Gehäuse untergebracht und mit großem Anschlussabstand sowie in der SMD-Option erhältlich.
Beliebte label: kp12102etld, China kp12102etld Hersteller, Lieferanten
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