KP2110SBTLD

KP2110SBTLD

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP
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Beschreibung

Technische Parameter

Verwandte Produkte:

 

Herstellerteil

KP2110SB

KP2110SBTLD

KP2110SBTRU

Beschreibung

OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS

OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS

Aktie

80000

80000

80000

Produktstatus

Aktiv

Aktiv

Aktiv

Spannung - Isolierung

5000 Veff

5000 Veff

5000 Veff

Stromübertragungsverhältnis (Min)

130 % bei 5 mA

130 % bei 5 mA

130 % bei 5 mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

260 % ​​bei 5 mA

260 % ​​bei 5 mA

260 % ​​bei 5 mA

Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ)

3US, 3US

3US, 3US

3us, 3us

Eingabetyp

Gleichstrom

Gleichstrom

Gleichstrom

Ausgabetyp

Transistor 6% 23NC

Transistor 6% 23NC

Transistor 6% 23NC

Spannung - Ausgang (max.)

60V

60V

60V

Strom - Ausgang / Kanal

50 mA

50 mA

50 mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

1.15V

1.15V

Strom - DC vorwärts (If) (Max)

60 mA

60 mA

60 mA

Betriebstemperatur

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

Verpackung/Koffer

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

Paket

Band und Rolle (TR)

Band und Rolle (TR)

Band und Rolle (TR)

 

Anwendungen:

 

• Register, Kopien, Automaten

• Systemgeräte, Messgeräte

• Computerterminals, speicherprogrammierbare Steuerungen

• Kommunikation, Telefon usw.

• Elektrische Haushaltsgeräte wie Ölheizlüfter, Mikrowellenherd, Waschmaschine, Kühlschrank, Klimaanlage usw.

• Medizinische Instrumente, physikalische und chemische Geräte

• Signalübertragung zwischen Schaltkreisen mit unterschiedlichen Potentialen und Impedanzen

• Faxgeräte, Audio, Video

• Schaltnetzteil, Laserdrucker

 

Allgemeine Beschreibung:

 

Die Serie KP2110 besteht aus einer Infrarot-Emitterdiode, die optisch mit einem Fototransistordetektor gekoppelt ist. Sie sind in einem 6--poligen DIP-Gehäuse untergebracht und mit großem Anschlussabstand und SMD-Option erhältlich.

Beliebte label: kp2110sbtld, China kp2110sbtld Hersteller, Lieferanten

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