KT1009TLD
Beschreibung
Technische Parameter
Verwandte Produkte:
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Herstellerteil |
KT1009 |
KT1009TLD |
KT1009TRU |
KT1010 |
KT1010TLD |
KT1010TRU |
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Beschreibung |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
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Aktie |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
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Spannung - Isolierung |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
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Stromübertragungsverhältnis (Min) |
200 % bei 5 mA |
200 % bei 5 mA |
200 % bei 5 mA |
50 % bei 5 mA |
50 % bei 5 mA |
50 % bei 5 mA |
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Stromübertragungsverhältnis (max.) |
400 % bei 5 mA |
400 % bei 5 mA |
400 % bei 5 mA |
600 % bei 5 mA |
600 % bei 5 mA |
600 % bei 5 mA |
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Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ) |
4us, 3us |
4us, 3us |
4us, 3us |
4us, 3us |
4us, 3us |
4us, 3us |
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Eingabetyp |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
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Ausgabetyp |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
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Spannung - Ausgang (max.) |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
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Strom - Ausgang / Kanal |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
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Strom - DC vorwärts (If) (Max) |
- |
- |
- |
- |
- |
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Betriebstemperatur |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
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Verpackung/Koffer |
LSOP4 (7,5 x 2,54) |
LSOP4 (7,5 x 2,54) |
LSOP4 (7,5 x 2,54) |
LSOP4 (7,5 x 2,54) |
LSOP4 (7,5 x 2,54) |
LSOP4 (7,5 x 2,54) |
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Paket |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Anwendungen:
• Hybridsubstrate, die eine Montage mit hoher Dichte erfordern.
• Programmierbare Steuerungen.
• Schaltnetzteile.
• Mikroprozessor-Systemschnittstelle.
Allgemeine Beschreibung:
Die KT1000-Serie besteht aus einer Infrarot-Emitterdiode, die optisch mit einem Fototransistordetektor gekoppelt ist und in einem 4-poligen LSOP-Widebody-Gehäuse untergebracht ist. Sie zeichnet sich durch ein hohes Stromübertragungsverhältnis, geringe Koppelkapazität und hohe Isolationsspannung aus.
Beliebte label: kt1009tld, China kt1009tld Hersteller, Lieferanten
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