SI8233AB-C-IS1R

Der SI8233AB-C-IS1R ist ein äußerst vielseitiger zweikanaliger isolierter Gate-Treiber, der außergewöhnliche Isolationsfähigkeiten mit bis zu 5 VRMS Eingang-zu-Ausgang-Isolierung und robusten Treiber-zu-Treiber-Differenzspannungsschutz bietet. Es ist in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, einschließlich HS/LS- und Dual-Treiber-Versionen, die hohe Schaltfrequenzen von bis zu 8 MHz unterstützen. Mit Ausgangsstromoptionen für unterschiedliche Leistungsgeräteanforderungen eignet sich dieser Gate-Treiber hervorragend für Anwendungen, die eine hohe elektromagnetische Immunität und minimale Ausbreitungsverzögerung erfordern. Die Steuerung kann über unabhängige HS- und LS-Eingänge oder PWM-Eingänge erfolgen, mit erweiterten Schutzfunktionen wie Überlappungsschutz und programmierbarer Totzeit. Die AEC-Q100-Qualifizierung gewährleistet seine Zuverlässigkeit und sein großer Betriebsbereich von -40 Grad bis +125 Grad ermöglicht den Einsatz unter extremen Bedingungen. Der SI8233AB-C-IS1R ist in RoHS-konformen Gehäusen erhältlich und eine kompakte und zuverlässige Lösung für den Antrieb von Leistungsgeräten unter Wahrung von Sicherheit und Präzision.

·Stromversorgungssysteme n

·Motorsteuerungssysteme n

·Isolierte DC-DC-Netzteile n

·Lichtsteuerungssysteme n

·Plasmadisplays n

·Solar- und Industriewechselrichter

Die isolierte Treiberfamilie Si823x vereint zwei unabhängige, isolierte Treiber in einem einzigen Paket. Die Si8230/1/3/4 sind High-Side-/Low-Side-Treiber und die Si8232/5/6/7/8 sind Dual-Treiber. Es stehen Versionen mit Spitzenausgangsströmen von 0,5 A (Si8230/1/2/7) und 4,0 A (Si8233/4/5/6/8) zur Verfügung. Alle Treiber arbeiten mit einer maximalen Versorgungsspannung von 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >Die Hysterese von 400 mV ist in den Konfigurationen mit individuellem Steuereingang (Si8230/2/3/5/6/7/8) oder PWM-Eingang (Si8231/4) verfügbar. Hohe Integration, geringe Ausbreitungsverzögerung, kleine Installationsgröße, Flexibilität und Kosteneffizienz machen die Si823x-Familie ideal für eine Vielzahl isolierter MOSFET/IGBT-Gate-Antriebsanwendungen.

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