SI8235AB-C-IS1R

Der Isolations-Gate-Treiber SI8235AB-C-IS1R ist eine Hochleistungslösung für Leistungselektronik und Industrieanwendungen. Zu seinen Hauptmerkmalen gehören zwei isolierte Treiber, Hochgeschwindigkeits- und High-/Low-Side-Optionen, außergewöhnliche elektromagnetische Immunität, flexible Eingangsoptionen, Transientenimmunität, Überlastschutz, AEC-Q100-Qualifizierung für den Automobileinsatz, ein großer Betriebstemperaturbereich und RoHS- konforme Pakete. Mit diesen Funktionen bietet der SI8235AB-C-IS1R eine zuverlässige und vielseitige Lösung für präzise und robuste Torantriebsanforderungen in anspruchsvollen Umgebungen.

·Stromversorgungssysteme

·Motorsteuerungssysteme

·Isolierte DC-DC-Netzteile

·Lichtsteuerungssysteme

·Plasmadisplays

·Solar- und Industriewechselrichter

Die isolierte Treiberfamilie Si823x vereint zwei unabhängige, isolierte Treiber in einem einzigen Paket. Die Si8230/1/3/4 sind High-Side-/Low-Side-Treiber und die Si8232/5/6/7/8 sind Dual-Treiber. Es stehen Versionen mit Spitzenausgangsströmen von 0,5 A (Si8230/1/2/7) und 4,0 A (Si8233/4/5/6/8) zur Verfügung. Alle Treiber arbeiten mit einer maximalen Versorgungsspannung von 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >Die Hysterese von 400 mV ist in den Konfigurationen mit individuellem Steuereingang (Si8230/2/3/5/6/7/8) oder PWM-Eingang (Si8231/4) verfügbar. Hohe Integration, geringe Ausbreitungsverzögerung, kleine Installationsgröße, Flexibilität und Kosteneffizienz machen die Si823x-Familie ideal für eine Vielzahl isolierter MOSFET/IGBT-Gate-Antriebsanwendungen.

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