
EL817(S)(B)(TA)-F
Beschreibung
Technische Parameter
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Herstellerteil |
EL817(S)(B)(TA)-F |
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EL817(S)(B)(TA)-F-VG |
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EL817(S)(B)(TU)-F |
EL817(S)(B)(TU)-FG |
EL817(S)(B)(TU)-F-VG |
|
Beschreibung |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
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OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
OPTOKOPPLUNG, FOTOTRANSISTOR AUS |
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Aktie |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
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Produktstatus |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
Aktiv |
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Spannung - Isolierung |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
5000 Veff |
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Stromübertragungsverhältnis (Min) |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
130 % bei 5 mA |
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Stromübertragungsverhältnis (max.) |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
260 % bei 5 mA |
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Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ) |
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Eingabetyp |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
Gleichstrom |
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Ausgabetyp |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
Transistor-Gleichstrom |
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Spannung - Ausgang (max.) |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
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Strom - Ausgang / Kanal |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
50 mA |
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Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
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Strom - DC vorwärts (If) (Max) |
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Betriebstemperatur |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
-55-C ~ 110-C |
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Verpackung/Koffer |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
SMD4 (7,62 mm) |
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Paket |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Band und Rolle (TR) |
Anwendungs:
• Computerterminals
• Systemgeräte, Messgeräte
• Registrierkassen, Kopierer, Verkaufsautomaten
• Elektrische Haushaltsgeräte, wie Heizlüfter etc.
• Signalübertragung zwischen Schaltkreisen mit unterschiedlichem Potential und Impedanz
Allgemeine Beschreibung:
Die EL817-Serie enthält eine Infrarot-Emitterdiode, die optisch mit einem Fototransistor gekoppelt ist. Sie ist in einem 4--poligen DIP-Gehäuse untergebracht und mit großem Abstand zwischen den Anschlüssen und SMD-Option erhältlich.
Beliebte label: el817(s)(b)(ta)-f, China el817(s)(b)(ta)-f Hersteller, Lieferanten
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